AlN薄膜制备技术研究

作者：金成飞; 司美菊; 徐阳; 杜波; 陈云祥

来源：压电与声光, 2016, 38(04): 539-547.

• AlN薄膜
• 磁控溅射
• 结晶取向度
• 应力
• 薄膜体声波谐振器(FBAR)

采用磁控溅射法制备了AlN薄膜并研究了射频(RF)等离子清洗对AlN薄膜结晶取向度的影响,实验表明,RF等离子清洗基片3min后AlN薄膜c轴取向摇摆曲线半峰宽达到1.3°;通过Mo薄膜衬底对AlN薄膜结晶取向度的影响发现,取向度好的Mo薄膜衬底有利于c轴取向AlN薄膜的生长;Ar气体流量对AlN薄膜应力的影响使AlN薄膜应力从-390(压应力)73 MPa(张应力)可调。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十六研究所