摘要
采用开路电位(OCP)、电化学阻抗谱(EIS),并结合扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)技术,研究了5083-H111铝合金在模拟动态海水环境中的电化学行为,并探讨了局部腐蚀机制。5083-H111铝合金的金属间化合物以Al-Fe和Mg-Si相为主,点蚀主要分布于金属间化合物周围;Al-Fe相在腐蚀过程中充当阴极,与周围Al基体构成微腐蚀电池,促使Al基体的点蚀。Mg-Si相在腐蚀过程中最初充当阳极,当其发生选择性溶解导致脱合金化逐渐形成富Si相后,变为阴极,促使Al基体发生点蚀。5083-H111铝合金表面生成的腐蚀产物为Al(OH)3、Al2O3和AlCl3。腐蚀产物在腐蚀初期对Al基体起到良好的保护作用,导致OCP正移,极化电阻(Rp)增大;腐蚀后期(36~56 d),初始腐蚀产物会发生局部脱落,在脱落位置Al基体再次发生局部腐蚀,导致OCP负移,Rp急剧减小。随着暴露时间的延长,部分金属间化合物在腐蚀后期会发生脱落,形成腐蚀空腔。
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单位天津市材料复合与功能化重点实验室; 天津大学