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摘要
本发明公开的衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成方法,利用MOCVD在衬底上生长全结构HEMT之后,经选区刻蚀确定LED区,在特定区域生长n-GaN,使之与HEMT的异质结相接触；在HEMT区制备源、栅电极后,进行衬底转移+并减薄刻蚀原衬底及部分缓冲层；然后在LED区外延生长多量子阱层和p-GaN,形成垂直LED结构；最后通过开孔刻蚀的方法引出HEMT的源、栅电极,并在LED区制备p电极,实现HEMT与垂直LED的集成。本发明利用GaN HEMT高频率、高功率的优势,可将原本由电流驱动的LED转变为电压驱动,且内部无需电极互联,减小器件寄生电阻,可用于实现集成化、微型化、稳定的可见光通信系统。
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