基于纳米操作机的多晶ZnO晶界电学特性研究

作者：刘梅; 孔令迪; 苏玮琳; 孙唯铭; 邢娟娟; 赵鹏飞; 王志明

来源：电子机械工程, 2022, 38(04): 10-16.

DOI：10.19659/j.issn.1008-5300.2022.04.003

• ZnO压电陶瓷
• 晶界
• 扫描电子显微镜
• 阻抗

文中基于安装在扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscopy, SEM）中的纳米操作机，对具有微米级细晶粒的氧化锌（ZnO）压电陶瓷进行了单晶粒边界的直接电学测量。由纳米操作机操纵的双探针作为微电极夹在机械手上，测量了ZnO压电陶瓷晶界的伏安特性曲线、非线性系数以及20个晶粒的平均尺寸。在20 Hz～1 MHz的频率范围内，通过等效电路拟合，以阻抗复平面表示实验数据。实验表明低频直流高阻阻抗的本质可归因于晶界，同时20 Hz下的电阻分布可用于预测ZnO压电陶瓷在某些较低频率下的阻抗特性。

• 单位
  上海大学; 自动化学院