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摘要
负偏置温度不稳定性（NBTI:Negative Bias Temperature Instability）是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一，严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响，结果表明：针对单一沟道器件，沟道长度越短，NBTI效应越严重。但是，针对多个器件单元串联组成的长沟道器件，NBTI效应只与每个器件单元的沟道长度有关，与器件单元数量无关。
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负偏置温度不稳定性（NBTI:Negative Bias Temperature Instability）是半导体先进工艺MOSFET器件最普遍、最严重的老化效应之一，严重地影响着集成电路的可靠性。研究了沟道长度对国产28 nm pMOSFET器件MBTI的影响，结果表明：针对单一沟道器件，沟道长度越短，NBTI效应越严重。但是，针对多个器件单元串联组成的长沟道器件，NBTI效应只与每个器件单元的沟道长度有关，与器件单元数量无关。
