本发明涉及一种基于薄膜自卷曲技术的圆波导,属于纳米器件技术领域。以硅片作为衬底,在衬底上沉积钛金属层、铜金属层和金金属层,通过刻蚀锗牺牲层,利用不同金属层间的内在应力作用,触发钛、铜、金金属层自卷曲,从而实现二维到三维的过渡,形成自卷曲的微纳米管。微纳米管的内径为微米级,圆波导工作频率为太赫兹波段。本发明所制成的片上圆波导结构小型化,纳米薄膜的微纳米管结构提供了优越的结构性能,具有较高的导电性能和电荷的传输效率；本发明的制作方法易于操作,成本更低,可批量生产。
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