一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型

作者：陈勇波; 刘文; 汪昌思; 孔欣; 赵佐

来源：太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17(01): 162-168.

• EE-HEMT模型
• 高电子迁移率晶体管
• 非线性模型
• 紧凑模型

提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正。修正后的非线性模型可以准确地模拟HEMT器件的直流I-U、S参数和大信号特性。并将该模型应用于一款0.25μm栅长的GaAs pHEMT工艺,对比不同尺寸的器件在高低温条件下模型仿真结果和实测结果,两者吻合良好,验证了该模型的准确性。

• 单位
  中国电子科技集团公司第二十九研究所; 成都海威华芯科技有限公司