碳化硅粒径变化对多晶硅片总厚度偏差的影响

作者：杨兴林; 陶大庆

来源：金刚石与磨料磨具工程, 2013, (03): 44-49.

DOI：10.13394/j.cnki.jgszz.2013.03.006

• 碳化硅颗粒
• 多晶硅片
• 总厚度偏差
• 过程能力指数 silicon carbide particles
• poly-silicon wafer
• total thickness variation
• complex process capability index

在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响。通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,把碳化硅粒径作为变量,总厚度偏差(TTV)和过程能力指数(CPK)作为输出,使用Mintab软件对实验结果进行分析,得到相关的分析结果。经过理论分析和实验结果进行对比可知:1 500#碳化硅切割出来多晶硅片的TTV值比1 200#碳化硅的减小了3.72%,即1 500#碳化硅切割出的多晶硅片TTV明显优于1 200#碳化硅。

• 单位
  江苏科技大学