燃烧合成法制备N掺杂SiC粉体及其微波介电性能

作者：李智敏; 黄云霞; 卫晓黑; 张茂林; 周万城; 郝跃

来源：稀有金属材料与工程, 2013, S1: 154-156.

• β-SiC
• N掺杂
• 燃烧合成
• 介电性能 β-SiC
• N doping
• combustion synthesis
• dielectric properties

采用燃烧合成法,以硅粉和炭黑为原料、固态氮化剂α-Si3N4为掺杂剂及聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,PTFE)为化学活性剂,制备N掺杂的β-SiC粉体吸收剂。通过X射线衍射分析和扫描电子显微镜对燃烧产物进行了表征。结果表明:PTFE含量为10wt%时,燃烧产物中β-SiC的纯度较高,具有较好的颗粒形貌。利用矢量网络分析仪测试了样品在8.2～12.4GHz频率范围的微波介电常数,10wt%PTFE样品显示了最大的介电常数实部ε′、虚部ε″和损耗角正切tanδ。

• 单位
  西北工业大学; 西安电子科技大学; 物理学院; 凝固技术国家重点实验室