基于铁电掺杂的PN结存储器件

作者：刘艳; 唐建; 周久人; 韩根全; 郝跃

来源：2021-04-16, 中国, ZL202110408851.X.

本发明公开了一种基于铁电掺杂的PN结存储器件,主要为解决现有PN结存储器件无法实现不同导电类型切换的问题。其自下而上包括衬底(1)、绝缘氧化层(2)和沟道层(3),该沟道层的两侧为阳极(8)和阴极(9),上部左边为阳极极化栅(4),右边为阴极极化栅(5)；该阳极极化栅和阴极极化栅的上部分别为阳极极化电极(6)和阴极极化电极(7),这两个极化电极(6,7)上施加有极性不同的脉冲电压,通过改变正负脉冲施加顺序实现PN结在不同存储状态之间的切换。本发明扩展了PN结存储器件的存储功能,降低了工艺过程中对沟道的损伤,减小了功耗,提高了器件的开态电流及耐久度,可用于制作非易失性存储器。

• 单位
  西安电子科技大学