一种基于40 nm CMOS工艺的25 Gb/s新型CTLE电路

作者：李博恺; 何进^*

来源：光通信技术, 2023, 47(06): 32-37.

DOI：10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2023.06.007

• 高速光通信
• 连续时间线性均衡器
• 电感峰化
• 负电容补偿
• 互补金属氧化物半导体

为了解决传统连续时间线性均衡器（CTLE）均衡能力较差的问题，提出了一种基于40 nm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的25 Gb/s新型CTLE电路，该电路采用并联电感峰化、负电容零点补偿和输出缓冲技术。介绍了并联电感峰化及无源器件对CTLE频率特性的影响，最后对新型CTLE电路进行了仿真。仿真结果表明：在数据传输速率为25 Gb/s时，该CTLE电路均衡后的-3 dB带宽从8.5 GHz拓展到21.3 GHz；输出信号眼图的差分电压峰峰值为410 mV，功耗为8.62 mW；整体电路版图面积为667μm×717μm，具备功耗低和面积小的特点。