晶体硅片上激光打孔的研究

作者：钱俊; 张光春; 杨健; 陈如龙; 李果华; 王玉林

来源：半导体技术, 2012, (05): 375-380+389.

• 激光打孔
• 脉冲能量
• 离焦量
• 重复频率
• 太阳电池 laser drilling
• pulse energy
• defocusing amount
• repetition frequency
• solar cell

背面接触太阳电池越来越多地被人们关注,这种电池增加了使用激光器在硅片上打孔工艺。选用了半导体激光器作为光源在晶体硅片上进行打孔实验。通过调节激光器的功率、离焦量、脉冲重复频率等参数并分析其对打孔的影响。在激光打孔后,对硅片使用显微镜测试来分析打孔大小、形貌和损伤区,并优化打孔的参数。通过实验证实孔的入孔直径和出孔直径都随激光能量的增大而增大。随着离焦量的增大,出孔直径先增大后减小,且出孔直径越大时孔附近的破坏区域越小。脉冲重复频率的变化由于影响激光能量而影响孔径。另外,脉冲重复频率过大时,激光能量仍然比较大,但却打不穿硅片。

• 单位
  无锡尚德太阳能电力有限公司; 江南大学