MOS晶体管PSP失配模型的建模方法

作者：石艳玲; 周卉; 李曦; 孙立杰; 任铮; 胡少坚; 陈寿面

来源：2012-11-30, 中国, ZL201210506129.0.

本发明公开了一种MOS晶体管PSP失配模型(mismatch?model)的建模方法,包括在标准PSP模型部分上增加器件性能失配子模块,该器件性能失配子模块包括与器件性能失配相关的拟合参数和参数方程,拟合参数为器件性能失配对PSP模型基本参数toxo、vfbo和wot影响程度的影响系数。其中该器件性能失配子模块通过所述影响系数对晶体管线性阈值电压Vtlin、饱和阈值电压Vtsat、线性漏极电流Idlin和饱和漏极电流Idsat的变化特性施加的影响,确定器件性能失配对栅氧厚度toxo、与尺寸无关的平带电压vfbo和由沟道阻断掺杂的横向扩散导致的有效沟道宽度变化量wot的作用,来重新定义所述栅氧厚度toxo、所述与尺寸无关的平带电压vfbo和所述由沟道阻断掺杂的横向扩散导致的有效沟道宽度变化量wot。

• 单位
  华东师范大学; 上海集成电路研发中心有限公司