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摘要
本发明提供一种锗硅异质结晶体管抗单粒子效应的加固方法,包括：在多个锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的锗硅异质结晶体管作为初选锗硅异质结晶体管；对初选锗硅异质结晶体管在预设偏置电压下进行伽马射线预辐照,以获取加固锗硅异质结晶体管；在多个加固锗硅异质结晶体管中筛选出符合预设电学特性的加固锗硅异质结晶体管作为抗单粒子效应锗硅异质结晶体管；根据相同激光脉冲能量且相同偏置电压条件下,初选锗硅异质结晶体管和抗单粒子效应锗硅异质结晶体的单粒子瞬态信号差异,获取最佳激光脉冲能量和最佳偏置电压。本发明以实现不通过改变工艺和器件结构,在低成本下实现晶体管抗单粒子效应的能力提升。
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