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摘要
在石墨烯增强铜基复合材料中，在铜基体上生长的石墨烯层数和石墨烯的结构完整性对复合材料整体物理性能具有显著影响。为了在铜基体内获得可控生长的薄层石墨烯，通过粉末压制方式获得预制散装多孔铜基体，采用化学气相沉积法（CVD）在铜基体表面镀上石墨烯薄膜，并经过冷轧和退火处理，得到了高导电性和高强度的复合材料。结果表明，通过控制相关气体流量有效地实现了石墨烯在铜基体中的可控沉积制备和均匀分散。当乙炔流速为3sccm，沉积时间为3 min时，复合材料的抗拉强度和导电率分别达到276.8 MPa和111.5%IACS。
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