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摘要
为预防绝缘缺陷引起的故障,对主绝缘划伤、含杂质、绝缘受潮和半导体尖端4种典型的绝缘缺陷进行电场和温度场仿真。通过对比有无缺陷时场强和温度的变化,利用特征线对比描述场强的畸变程度。仿真结果显示:即使微小的缺陷也会引起场强和温度的突变,对温度的影响稍微较小,其中接头受潮缺陷对场强影响最突出,半导体尖端缺陷对温度影响最大。随着缺陷大小的不同,场强畸变和温度变化程度也不同。本研究可为电缆接头局部放电监测和接头维修预防等提供理论参考。
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单位电子工程学院; 重庆理工大学
