垂直型氮化物铁电半导体肖特基二极管及制备方法

作者：薛军帅; 李泽辉; 吴冠霖; 姚佳佳; 袁金渊; 李天浩; 张进成; 郝跃

来源：2023-04-25, 中国, CN202310457091.0.

本发明公开了一种氮化物铁电半导体肖特基二极管,主要解决现有氮化物肖特基二极管击穿电压低、开启电压难调控的问题。其自下而上包括阴极(6)、衬底(1)、传输层(2)、漂移层(3)、铁电介质层(4)、氧化层(5)及阳极(7)。其中漂移层(3)和铁电介质层(4)均为具有铁电特性的氮化物半导体,铁电介质层(4)采用原位外延生长且其禁带宽度小于漂移层(3),氧化层(5)通过氧化铁电介质层(4)表面形成。本发明利用漂移层(3)和铁电介质层(4)的铁电极化特性提高了反向耐压并能调控器件开启电压,利用原位生长和离位氧化相结合方法减少介质层缺陷并降低器件反向漏电,提高击穿电压和可靠性,可用于微波整流和功率开关电路。

• 单位
  西安电子科技大学