摘要
基于华宏0.35μmBCD工艺,设计了一种可以source(输出)和sink(吸入)电流的低压DDR(DoubleData Rate)终端调整器芯片。该芯片支持2.5 V输入电压轨和3.3 V输入电压轨。该芯片功率电源电压范围1.1 3.5 V,并且具备低噪声、低功耗、快速响应的特性,可以满足DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4的VTT总线电压要求。仿真结果表明,最低工作电压达到2.375 V、空载静态电流只有800μA、source和sink电流达到3 A时,输出电压容差在±20 mV以内。
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单位中国电子科技集团公司第二十四研究所