以粉煤灰、废陶瓷和山皮土为主要原料,SiC为发泡剂,采用原位发泡法制备泡沫陶瓷,考察了SiC掺量、烧成温度对材料孔隙率、体密度和抗压强度的影响。结果表明,当烧成温度为1300~1400℃,发泡剂SiC掺量以4~6wt%时,可制备出孔隙率高、体密度低、孔径均匀的泡沫陶瓷。