p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究

作者：左秉鑫; 曾昭烩; 李祈昕; 李叶林; 刘宁炀; 赵维; 陈志涛; 李云平

来源：半导体光电, 2020, 41(02): 242-246.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.019

• GaN
• 电极材料
• 欧姆接触
• 热稳定性
• 倒装紫外LED芯片

研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)和高反射率(大于80%@365nm)。研究获得的优化Pd/NiO层厚度为1nm/2nm,此时的Pd/NiO/Al/Ni反射电极既能形成良好的欧姆接触,拥有低比接触电阻率,又能减少对紫外光的吸收,保持高反射率。研究表明适当的NiO层厚度能够有效地防止热处理过程中上层Al金属向p-GaN表面层的渗入,对于制备高质量的Al基反射电极至关重要。

• 单位
  中南大学; 广东省半导体产业技术研究院; 粉末冶金国家重点实验室