<正>专利申请号:CN201811060352公开号:CN109112565A申请日:2018.09.12公开日:2019.01.01申请人:电子科技大学本发明属于催化析氢技术领域,具体涉及一种降低二硫化钼基催化析氢电极电荷转移阻抗的方法。针对现有的二硫化钼纳米薄片间及其与底部电极之间载流子传输效率低、半导体2H相二硫化钼催化析氢活性低的问题,本发明的技术核心包括如下内容:(1)掺入聚乙烯吡咯烷酮,