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摘要
传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展及其产业化进展进行了综合阐述,为后续研究提供一定的参考。
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单位信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
传统的SAW制备在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等体压电材料上。这些体单晶材料的主要问题是成本较高且不与CMOS工艺兼容。近年来,越来越多的研究者开始致力于开发薄膜SAW器件。本文针对基于键合工艺制备LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究进展及其产业化进展进行了综合阐述,为后续研究提供一定的参考。
