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摘要
通过磁控共溅射的方法在热氧化SiO2衬底上沉积了铝镓共掺杂氧化锌(AGZO)薄膜，并且制备了底栅型结构的AGZO薄膜晶体管(AGZO TFTs),分析不同Al靶材溅射功率对薄膜的表面形貌、粗糙度以及透射率和光学带隙的影响，研究AGZO TFTs的电学性能和紫外探测性能.实验结果表明，AGZO薄膜在可见光区域平均透过率均超过95%,并且可以通过控制Al靶材的溅射功率调控薄膜的光学带隙.当Al靶材溅射功率为20 W时，制备所得的AGZO TFTs的电学性能最优，其阈值电压为0.96 V,电流开关比达到了2.3×107.同时，AGZO TFTs的光电性能也较为优良，在365 nm的紫外光照射下，其响应度为105.9 A/W,光暗电流比为7.7×105,探测度为1.46×1012 Jones.
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