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摘要
随着半导体器件工艺尺寸不断缩小，栅氧化层的厚度已接近极限，实际生产中栅氧完整性（gateoxide integrity,GOI）问题越来越凸现。本文主要研究由于内电介质层（internaldielectriclayer,ILD）沉积中的等离子体损伤导致栅氧化层工艺失效问题。采用不同沉积方式对ILD沉积，发现高密度等离子体（highdensity plasma,HDP）化学气相沉积过程中具有较重的等离子体，会降低器件的栅氧可靠性。HDP沉积过程中采用循环沉积-刻蚀-沉积来实现对所有填充结构轮廓的调整，实验结果发现降低沉积-刻蚀循环次数可以有效改善对栅氧等离子体损伤，但其填充效果会降低。采用高深宽比沉积工艺（high aspect ratio process,HARP）对栅氧等离子体损伤较小。由于受ILD轮廓问题影响，纯HARP填充工艺效果不佳。本文针对特殊的填充结构提出采用HDP与HARP结合的方式同时解决栅氧等离子体损伤及填充效果不佳的问题。
