不同特征尺寸SRAM质子单粒子效应实验研究

作者：殷倩; 郭刚^*; 张凤祁; 郭红霞; 覃英参; 孙波波

来源：原子能科学技术, 2020, 54(06): 1118-1124.

• 质子
• 静态随机存储器
• 能量
• 入射角度
• 多位翻转

利用中国原子能科学研究院100 MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究。获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线。分析了入射质子能量及角度对不同特征尺寸SRAM的SEU饱和截面的影响和效应规律,并利用蒙特卡罗方法对65 nm SRAM SEU特性进行了模拟。研究结果表明:随特征尺寸的减小,SEU饱和截面会出现不同程度的降低,但降低程度会由于多单元翻转(MCU)的增多而变缓;随入射角度的增加,MCU规模及数量的增加导致器件截面增大;3款SRAM所采用的位交错技术并不能有效抑制多位翻转(MBU)的发生。

• 单位
  中国原子能科学研究院