SnO2/SnSe2异质结构物理性能的第一性原理研究

作者：周慧楠; 王智浩; 刘起英; 史国华; 郁建元; 赵洪力^*

来源：硅酸盐学报, 2023, 51(10): 2626-2633.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20230068

• 透明导电薄膜
• 异质结构
• 第一性原理
• 载流子迁移率

构建宽窄带隙同型异质结构的双层薄膜是提高透明导电薄膜光电性能的新思路。采用基于密度泛函的第一性原理，对本征和掺杂SnO2/SnSe2的电子结构、光学性质、载流子迁移率、电荷分布、能带排列进行计算。结果表明：本征和掺杂SnO2/SnSe2电子结构内部存在的电势差会使体系内部的电子向着界面处或SnSe2处转移，处于界面处的电子会在界面间隙内形成二维电子气并在界面处高速移动，从而提高了载流子的迁移率，而处于SnSe2处的电子由于没有杂质离子散射的影响迁移率也相应提高，4种不同掺杂类型异质结构的载流子迁移率分别为772.82、5286.04、2656.90m2/(S·V)和17 724.60 m2/(S·V)，光学透过率在80%以上。

• 单位
  亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室; 燕山大学; 唐山学院