基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究

作者：张琴; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 尹华; 张炜楠; 邓芳; 龙涛; 李左翰

来源：微电子学, 2022, 52(06): 1055-1060.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210430

• DC/DC变换器
• 总剂量辐照
• 单粒子辐照
• 辐射损伤效应

对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究，讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下，输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明，使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下，均表现出了优异的抗辐照性能，即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化。该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm2·mg-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域。

• 单位
  云南师范大学; 中国电子科技集团公司第二十四研究所