Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

作者：叶志镇; 林时胜; 何海平; 顾修全; 陈凌翔; 吕建国; 黄靖云; 朱丽萍; 汪雷; 张银珠; 李先杭

来源：半导体学报, 2008, (08): 1433-1435.

• LED
• Na掺杂
• p型ZnO
• ZnO/ZnMgO多量子阱

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学