基于GaAs pHEMT的W波段多通道发射前端MMIC研究

作者：王雨桐; 方园; 林勇; 薛昊东; 汪璐; 陈艳; 卢军廷; 郑俊平; 李明

来源：微波学报, 2020, S1: 222-224.

• GaAs PHEMT
• 倍频器
• 功率放大器
• 单刀四掷开关

基于GaAs赝配型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款96-105GHz的四通道发射多功能芯片,完成信号的多通道倍频放大。电路由Ka、W两个不同频段的功率放大器,一个三倍频器和一个单刀四掷(SP4T)开关构成。测试结果表明,输入频率32-35GHz,输入功率0dBm情况下,在输出频率96-105GHz频段内,该四通道发射前端芯片输出功率大于6.5dBm,输入电压驻波比小于1.6:1,输出电压驻波比小于2.5:1。其中,电路为5V和-5V供电;开关控制电压为-5V/0V。芯片尺寸为5.90mm×2.15mm×0.07mm。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所