采用磁控溅射方法在Si(111)衬底上分别沉积不同厚度的Mg膜,然后低真空退火处理得到结晶良好的Mg2Si薄膜。一定条件下,Mg膜的最优沉积厚度为2 300 nm,对应的Mg2Si(220)衍射峰最强。所有样品均出现256 cm-1附近的拉曼散射峰,该峰归因于Mg2Si的F2g振动模,且该振动模的积分强度随膜厚增加先增加后减小,硅衬底上2 300 nm Mg膜退火后的Mg2Si样品的拉曼积分强度最强。