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摘要
本发明涉及一种对帽层access区域进行不完全刻蚀方式的器件结构及方法,包括：选取外延基片；在P型GaN帽层上刻蚀出access区域；在源电极区域和漏电极区域制备欧姆接触的源电极和漏电极；在外延基片上刻蚀有源区的电隔离区域；在源电极、漏电极、access区域的P型GaN帽层上制备钝化层；刻蚀中间未被刻蚀的P型GaN帽层、钝化层以制备Fin结构,之后进行氧化处理；在部分钝化层和钝化层之间的P型GaN帽层上制备T型的栅电极；在金属互联区域制备金属互联层,以完成器件结构的制备。本发明在已长有P型GaN帽层的外延基片上对access区域的P型GaN帽层进行不完全刻蚀,利用Fin结构及侧壁氧化的方式得到增强型器件,利用Fin结构与P型GaN帽层组合的方式,提高阈值电压,增加栅控。
- 单位
