IGBT单粒子烧毁效应的二维仿真

作者：王珣阳; 潘建华; 陈万军

来源：电子与封装, 2015, 15(05): 28-32.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0052

• IGBT
• 单粒子烧毁
• 二维仿真

通过二维TCAD仿真,对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析,据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况,给出了IGBT加固的一般思路,提出并仿真验证了多种具体的加固方法,与文献测试结果相符。

• 单位
  电子科技大学; 中国电子科技集团公司; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室