预氧化法制备均匀硅纳米线阵列

作者：李燕秋; 渠亚洲; 程其进

来源：人工晶体学报, 2018, 47(10): 2022-2027.

DOI：10.3969/j.issn.1000-985X.2018.10.005

• 硅纳米线阵列
• 预氧化清洗
• 金属辅助化学刻蚀
• 各向异性

利用双氧水溶液对硅片表面进行预氧化处理,并用改良的RCA法清洗硅片,结合金属辅助化学刻蚀(MACE)制备硅纳米线阵列(SiNWs).通过表征发现:预氧化清洗相较于传统RCA清洗,能够降低硅片表面微粗糙度,同时提高后续制备的硅纳米线阵列的均匀性.此外,在300～800 nm波段,当硅纳米线的长度相近时,经预氧化清洗制备的硅纳米线阵列反射率降低,当硅纳米线长度为500 nm左右时,反射率降低值大于2.4％.最后分析了均匀硅纳米线阵列的形成机理.

• 单位
  厦门大学; 厦门大学深圳研究院