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摘要
为了减少电磁屏蔽对设备的影响,采用真空抽滤方法制备了一种超薄Ti3C2Tx薄膜,在2～18 GHz研究了其电磁屏蔽性能。用扫描电子显微镜(SEM)表征了Ti3C2Tx薄膜断面的微观形貌,X射线衍射仪(XRD)测试了Ti3C2Tx薄膜成分。结果表明:制备的Ti3C2Tx薄膜,具有超薄性、高导电性和高电磁屏蔽性等特点,层层堆积的Ti3C2Tx纳米片提升了电子传输。通过测试可知:14μm厚的Ti3C2Tx薄膜表面电阻仅为509.9 mΩ,电磁屏蔽性能可以达到52.23 dB。分析得知,Ti3C2Tx薄膜电磁屏蔽屏蔽机制是反射主导的,可见Ti3C2Tx薄膜具有优异的电磁屏蔽性能。实验证明,Ti3C2Tx薄膜电磁屏蔽性能超过35 dB,在电磁屏蔽方面具有潜在应用。
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