高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法

作者：许晟瑞; 纪凯乔; 张雅超; 宁静; 陈大正; 张进成; 郝跃

来源：2020-08-27, 中国, CN202010879635.9.

本发明公开了一种高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法,该高电子迁移率晶体管包括：AlN层(2)；两部分衬底层(1),所述两部分衬底层(1)分别位于所述AlN层(2)的下表面的两端；Al_xGa_(1-x)N势垒层(3),所述Al_xGa_(1-x)N势垒层(3)位于所述两部分衬底层(1)之间；源极(4),所述源极(4)位于处于所述Al_xGa_(1-x)N势垒层(3)一端的所述衬底层(1)的下表面；漏极(5),所述漏极(5)位于处于所述Al_xGa_(1-x)N势垒层(3)另一端的所述衬底层(1)的下表面；栅极(6),所述栅极(6)位于所述Al_xGa_(1-x)N势垒层(3)的下表面。本发明所提供的低欧姆接触电阻的Al_xGa_(1-x)N基高电子迁移率晶体管,采用了AlN和AlGaN材料来实现AlN/Al_xGa_(1-x)N异质结,保证了晶体管具有较高的电子迁移率。

• 单位
  西安电子科技大学