消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法

康建波; 商庆杰; 王利芹

doi:10.14176/j.issn.1001-3474.2023.04.003

摘要

硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤，采用标准博世（Bosch）工艺刻蚀硅通孔（宽为150μm），发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护，消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题，通孔开口差值，即通孔下开口宽度与通孔上开口宽度的差，从原来的22μm减小到13μm。利用优化后的工艺配方对硅通孔和硅腔(宽为1 500μm)同时进行刻蚀时，发现硅腔刻蚀后会产生硅针，不能应用到实际生产。经过多轮次Bosch工艺参数调整，把Bosch工艺沉积步骤的偏置功率设置为10 W，同时解决了硅通孔侧壁刻蚀损伤和硅腔刻蚀出现硅针问题，最终成功应用到MEMS环形器系列产品当中。

单位
中国电子科技集团公司第十三研究所

全文

访问全文

收藏分享被引浏览

更新时间：2024-03-18 16:16

消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法

摘要

全文

产品服务

站内浏览

服务支持

联系方式

科研之友