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摘要
在高温薄膜式热流传感器结构中,热阻层台阶的高度是影响热流传感器输出的重要因素。在热阻层的制备工艺中,需要精准控制台阶的高度和整体薄膜的厚度。目前常用的制备方法为溅射-湿法腐蚀和溅射-湿法腐蚀-溅射两种方法。选用电绝缘性高、硬度高、热导率低的SiO2作为热阻层材料,分析了限制热阻层台阶高度的因素,确定了高台阶的高度低于6μm,低台阶的高度高于500 nm。研究了两种热阻层台阶的制备方法的适用条件,分析了两种方法的优缺点,发现溅射-湿法腐蚀仅适用于基底粗糙度较低的薄膜,溅射-湿法腐蚀-溅射的方法不受粗糙度的限制,但需加宽掩膜板以防止侧蚀损坏薄膜。
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