利用实验室自有大型中试线磁控溅射设备,以纯度为99.99%的石墨为靶材,以Ar、N2为溅射和反应气体,采用直流磁控溅射法,制备了一系列碳自掺杂氮化碳薄膜。利用XRD、SEM、拉曼光谱等检测手段对薄膜的成分、形貌、光学性能以及电阻率等进行表征。结果表明:溅射过程中通过对N进行浓度梯度控制,成功实现了碳自掺杂,同时氮化碳薄膜已初具晶型;碳自掺杂很好的调节了薄膜的电阻率,其值可根据需要在很宽的范围内(超导至高阻)调节;透过率基本维持在87%以上。同时氮的掺入对薄膜碳也起到了稳定的作用。
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