SiC纳米棒负载NiPx纳米片异质结的光催化析氢性能

作者：夏梦阳; 曹丹; 杨贵东^*

来源：化学反应工程与工艺, 2021, 37(05): 407-413.

• 碳化硅
• 纳米磷化镍
• 异质结
• 光催化析氢

采用沉淀煅烧法，在不同煅烧温度下，使表面改性的Si C纳米棒上均匀生长NiPx纳米片，分别制备了Ni2P/SiC和NiP2/SiC异质结光催化剂。通过光催化析氢测试和光电性能表征，证明助催化剂NiPx的加入极大提升了SiC纳米棒的光催化性能，表明负载的NiPx作为助催化剂有效抑制了光生电子-空穴对的复合并提供更多的质子活性位点。其中，NiP2/SiC异质结析氢速率高达481.96μmol/(g·h)，是Ni2P/SiC异质结的23倍，而且NiP2/SiC异质结具有更好的光催化稳定性，这表明NiP2具有更优异的导电子能力，显著提升了Si C纳米棒的光催化析氢能力。提出了光催化析氢反应机理，根据NiPx/SiC异质结中电荷的迁移路径解释了析氢活性增强的原因。

• 单位
  西安交通大学