摘要

半导体硅料含杂质时,其电化学势能和表面活性也随之发生变化,重掺硅料比掺杂浓度低的硅料化学电动势大,在混酸溶液中反应速率快,低浓度掺杂的合格料和高浓度掺杂的重掺料就有了选择性腐蚀效果。基于这一原理研究了一种化学腐蚀除重掺的方法。

  • 单位
    上海九晶电子材料股份有限公司