脉冲放电强度对磁控溅射Cr薄膜微观结构的影响

作者：曹政; 蒋百灵; 沈建东; 宁富平; 张潜

来源：材料热处理学报, 2013, (02): 157-161.

DOI：10.13289/j.issn.1009-6264.2013.02.008

• 脉冲
• 异常辉光放电
• 非平衡磁控溅射
• Cr薄膜 pulse
• abnormal glow discharge
• unbalanced magnetron sputtering
• Cr film

在脉冲非平衡磁控溅射环境中,通过提高脉冲靶电压(分别为600、700及800 V)使工作气体Ar获得3种不同强度的异常辉光放电状态(单脉冲峰值靶功率密度分别为10、30及70 W/cm2),并分别制备Cr薄膜。利用SEM、AFM、XRD及TEM等方法研究、比较了非平衡磁控溅射Cr薄膜的微观结构在不同Ar气脉冲异常辉光放电强度条件下的差异。结果表明,随Ar气脉冲异常辉光放电强度的增强:Cr薄膜沉积速率显著提高,薄膜表面粗糙度略有增大,但表面颗粒未出现长大现象,且尺寸均匀、细小,择优生长的Cr(110)晶面的衍射峰强度明显降低,结晶效果逐渐降低。不同异常辉光放电强度条件下制备的Cr薄膜均以柱状方式...

• 单位
  西安理工大学