提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻。MEDICI TCAD仿真结果表明:在281V击穿电压下,该结构的比导通电阻为4.6mΩ.cm2,与不带P型埋层的结构相比,在达到同样耐压的情况下,比导通电阻降低了19%。
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