优化半绝缘GaAs双抛片精抛工艺的可行性探究

作者：张雁敏

来源：天津科技, 2020, 47(02): 28-38.

DOI：10.14099/j.cnki.tjkj.2020.02.009

• 砷化镓
• 半绝缘砷化镓
• 化学机械抛光
• TTV
• 精抛

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的抛光片作为微波大功率器件、低噪声器件等的重要衬底材料而被广泛应用。为提高产品的表面质量、良品率以及产量,同时释放部分生产力,降低生产成本,探究通过改良半绝缘砷化镓(SIGaAs)双抛片的精抛工艺,将现有的先后由单面抛光机、双面抛光机两步精抛法优化为只用双面抛光机一步精抛法的可行性。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所