原子层沉积技术生长单质钨薄膜

作者：王浙加; 冯嘉恒; 夏洋; 明帅强; 屈芙蓉

来源：半导体技术, 2022, 47(09): 699-703.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.09.004

• 原子层沉积(ALD)
• 钨
• 电阻率
• 多晶薄膜
• β相

采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析。结果表明，热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200～250℃,生长的薄膜呈多晶态，由较小粒径的颗粒组成，具有(210)晶面择优取向。XPS测试表明薄膜中W 4f7/2、W 4f5/2及W 5p3/2的特征峰分别位于31.5～31.6、33.5～33.7及36.9～37.1 eV结合能位置处，主要含有W、C、O等元素。生长的单质钨薄膜为β相钨，电阻率为1.6×10-4～3.0×10-4Ω·cm。

• 单位
  中国科学院