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摘要
本发明公开了一种制备基于准阵列半导体性碳纳米管的射频场效应晶体管方法,主要解决现有方法制备的碳基射频场效应晶体管性能差的问题。其实现方案是：取碳纳米管、共轭聚合物,溶解于有机溶剂中,经离心后获得s-SWCNTs溶液；选取基片并经一次光刻后蒸发源漏电极；将基片电极与函数发生器连接,放入s-SWCNTs溶液中,通电进行电泳实现碳管在沟道处的阵列排布；在阵列碳管的表面利用ALD生长介质层,对介质层表面进行二次光刻以保护沟道进行刻蚀；对刻蚀后的基片进行三次光刻以蒸发栅极金属,得到基于准阵列半导体性碳纳米管的射频场效应晶体管。本发明能高效地实现沟道准阵列排布的碳管薄膜,减少碳管结,提高器件的射频性能。
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