条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型

作者：张俊松; 高越; 钟玲; 石广源

来源：辽宁大学学报(自然科学版), 2008, (03): 197-199.

• VDMOSFET
• 条形栅
• 特征导通电阻
• 物理模型 VDMOSFET
• bar gate
• specific on-resistance
• physical model.

详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.

• 单位
  中国人民解放军陆军炮兵防空兵学院; 辽宁大学