纳米尺度Au/Pt负载对玫瑰花状NiO纳米颗粒气敏性能的影响

作者：张春林; 张勇^*

来源：兰州大学学报(自然科学版), 2019, 55(04): 557-560.

DOI：10.13885/j.issn.0455-2059.2019.04.020

<正>氧化镍(NiO)晶体暴露在空气中时会因表面氧过剩而电离产生空穴,导致整体呈现p型半导体的特征,因此也被认为是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度为3.6～4.2 eV,具有良好的气敏和热敏特性,属于表面控制电阻型气敏材料[1].

• 单位
  数理学院; 兰州交通大学