La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响

作者：李伟; 郑伟; 丁长路; 张宏宇

来源：压电与声光, 2019, 41(04): 513-516.

• PZT薄膜
• La和Sr掺杂
• 铁电性
• 介电性
• 压电性

该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb1-0.05La0.05ZrTiO3(PLZT)、掺杂Sr元素的Pb1-0.05Sr0.05ZrTiO3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb1-0.1La0.05Sr0.05ZrTiO3(PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品。对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试。结果表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(Pr)为13.2μC/cm2,饱和极化强度(Ps)为28.4μC/cm2,矫顽场(Ec)为54.8 kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d33)比其他3种样品高,达到153 pC/N。掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定。

• 单位
  重庆大学