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摘要
本发明公开了一氧化氮气敏材料及其在制备传感器上的应用。该一氧化氮气敏材料由In2O3和Nb2O5的WO3混合而成。此一氧化氮气敏材料在制备传感器上的应用包括以下步骤：称量In2O3,Nb2O5和WO3,混合后加入乙醇搅拌均匀,投入球磨机中磨碎得混合粉末；将混合粉末烘干后,加入粘合剂造粒；将母粒通过压片处理后烧结得一氧化氮气敏材料,备用；清洗平面电极,将一氧化氮气敏材料作为靶托和清洗完的平面电极装入脉冲激光沉积设备腔体内,调节,沉积薄膜；待沉积结束后,取出样品封装处理,即可。利用本发明一氧化氮气敏材料制备的传感器可以在较低的温度下检测ppb级的一氧化氮,且半导体型NO传感器体积小,制造工艺简单。
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