Sc掺杂Al_2O_3晶体及外场作用下Al_2O_3晶体的第一性原理计算

作者：梁跃均; 黄多辉

来源：宜宾学院学报, 2017, 17(12): 97-101+105.

DOI：10.19504/j.cnki.issn1671-5365.20171013.001

• 第一性原理
• Al2O3
• 晶体
• 掺杂
• 电场

采用GGA-PW91方法计算了未掺杂时Al2O3晶体和不同电场下Al2O3晶体的能带结构、态密度,并计算了Sc掺杂Al2O3晶体的能带结构和态密度.结果表明:未掺杂时Al2O3晶体能隙值为6.639 6 eV;随着Z轴方向的外电场增大,Al2O3晶体能隙值逐渐变小;O 2s态和2p态的态密度跨度变大,并向低能带偏移;Al原子的3s、3p态的态密度低能带跨度变大,高能带向费米面偏移;Sc掺杂Al2O3晶体后能隙值变小,在高能区产生了新的能带并向费米面偏移.

• 单位
  成都市职工大学; 宜宾学院; 电子工程学院